Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P de 1TB (NVMe, PCIe Gen3, Hasta 2.450 MB/s)

Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P de 1TB

Descripción

La Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P de 1TB es un dispositivo de almacenamiento de alto rendimiento con una interfaz PCIe y tecnología 3D NAND para mayor capacidad y estabilidad. Ofrece velocidades de lectura y escritura de hasta 2450 MB/s, siendo una opción confiable y eficiente para mejorar el rendimiento de sistemas informáticos.

Características Claves

• Interfaz PCIe de alta velocidad R/W
• Máx. Velocidad de lectura de hasta 2450 MB/s. 
• La tecnología 3D NAND ayuda a desarrollar una mayor capacidad, rendimiento y estabilidad. 
• Sin estructura mecánica, utilizando control de chip electrónico, datos.
• Aplicable a ordenadores personales, portátiles, etc.

La Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P de 1TB ofrece una interfaz PCIe de alta velocidad para una lectura y escritura eficientes. Con una velocidad máxima de lectura de hasta 2450 MB/s, experimenta un rendimiento excepcional para tus necesidades tecnológicas.

Tecnología Avanzada y Estabilidad

Gracias a la tecnología 3D NAND, este SSD desarrolla una mayor capacidad, rendimiento y estabilidad, asegurando un almacenamiento confiable y eficiente para tus dispositivos. Su diseño sin estructura mecánica y control de chip electrónico garantizan la seguridad de tus datos.

Aplicaciones Versátiles

Desde computadoras personales hasta portátiles, la Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P es compatible con una amplia gama de dispositivos, ofreciendo un rendimiento estable y rápido. Con una calidad superior y un proceso de postventa impecable, confía en Winpy para adquirir este producto de calidad. Descubre en Winpy la Unidad de Estado Sólido Hiksemi Wave P de 1TB, una solución de almacenamiento potente y estable que elevará el rendimiento de tus equipos. ¡Hazte con ella y lleva tu experiencia tecnológica al siguiente nivel!

 

Modelo	WAVE(P) series
Factor de Forma	M.2 2280
Capacidad	1024GB
Velocidad Máx. Lectura Secuencial	2450 MB/s
Velocidad Máx. Escritura Secuencial	2450 MB/s
Máx. Lectura 4K (IOPS)	146 K
Máx. Escritura 4K (IOPS)	128K
Consumo Máx. de Energía	3.1 W
TBW	240 TB
MTBF	1,500,000 horas
Medio de Almacenamiento	3D NAND
Interfaz	PCIe
Temperatura de Funcionamiento	0 °C a 70 °C
Temperatura de Almacenamiento	-40 °C a 85 °C
TRIM	Compatible
Garantía	Soporta
Peso	57g